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Rochester Electronics / BSC750N10NDGATMA1

이미지는 참고용이며 실제 사진을 얻으려면 문의하십시오.

BSC750N10NDGATMA1

제조업체 부품 번호: BSC750N10NDGATMA1
제조사: Rochester Electronics
설명의 일부: PFET, 3.2A I(D), 100V, 0.075OHM,
데이터시트: BSC750N10NDGATMA1 데이터시트
무연 상태 / RoHS 상태: 무연 / RoHS 준수
재고 상태: 재고
에서 배송하다: Hong Kong
배송 방법: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
주목
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모든 Eelctronics 구성 요소는 ESD 정전기 방지 보호 기능으로 매우 안전하게 포장됩니다.

package

사양
유형 설명
시리즈OptiMOS™
꾸러미Bulk
부품 상태Active
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs75mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 12µA
게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs11nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds720pF @ 50V
전력-최대26W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급 업체 장치 패키지PG-TDSON-8-4
구매 옵션

재고현황: 2624

최저한의: 1

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인기 모델
Product

BSC750N10NDGATMA1

Rochester Electronics
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