IR (Infineon Technologies) / IPG20N10S4L35ATMA1
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IPG20N10S4L35ATMA1
| 제조업체 부품 번호: | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| 제조사: | IR (Infineon Technologies) |
| 설명의 일부: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| 데이터시트: | IPG20N10S4L35ATMA1 데이터시트 |
| 무연 상태 / RoHS 상태: | 무연 / RoHS 준수 |
| 재고 상태: | 재고 |
| 에서 배송하다: | Hong Kong |
| 배송 방법: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 주목
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모든 Eelctronics 구성 요소는 ESD 정전기 방지 보호 기능으로 매우 안전하게 포장됩니다.
사양
| 유형 | 설명 |
|---|---|
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| 꾸러미 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 16µA |
| 게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1105pF @ 25V |
| 전력-최대 | 43W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TDSON-8-4 |
재고현황: 14427
최저한의: 1
| 수량 | 단가 | 내선 가격 |
|---|---|---|
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운임 계산
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3~5일 안에 도착
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