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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK8Q60W,S1VQ

이미지는 참고용이며 실제 사진을 얻으려면 문의하십시오.

TK8Q60W,S1VQ

제조업체 부품 번호: TK8Q60W,S1VQ
제조사: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
설명의 일부: MOSFET N-CH 600V 8A IPAK
데이터시트: TK8Q60W,S1VQ 데이터시트
무연 상태 / RoHS 상태: 무연 / RoHS 준수
재고 상태: 재고
에서 배송하다: Hong Kong
배송 방법: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
주목
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모든 Eelctronics 구성 요소는 ESD 정전기 방지 보호 기능으로 매우 안전하게 포장됩니다.

package

사양
유형 설명
시리즈DTMOSIV
꾸러미Tube
부품 상태Active
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600 V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A (Ta)
구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs500mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.7V @ 400µA
게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs18.5 nC @ 10 V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds570 pF @ 300 V
FET 기능Super Junction
전력 손실 (최대)80W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급 업체 장치 패키지I-PAK
패키지 / 케이스TO-251-3 Stub Leads, IPak
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재고현황: 당일 배송

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인기 모델
Product

TK8Q65W,S1Q

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Product

TK8Q60W,S1VQ

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
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