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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK65E10N1,S1X
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TK65E10N1,S1X
| 제조업체 부품 번호: | TK65E10N1,S1X |
| 제조사: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 설명의 일부: | MOSFET N CH 100V 148A TO220 |
| 데이터시트: | TK65E10N1,S1X 데이터시트 |
| 무연 상태 / RoHS 상태: | 무연 / RoHS 준수 |
| 재고 상태: | 재고 |
| 에서 배송하다: | Hong Kong |
| 배송 방법: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 주목
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모든 Eelctronics 구성 요소는 ESD 정전기 방지 보호 기능으로 매우 안전하게 포장됩니다.
사양
| 유형 | 설명 |
|---|---|
| 시리즈 | U-MOSVIII-H |
| 꾸러미 | Tube |
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100 V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 148A (Ta) |
| 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 32.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 1mA |
| 게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5400 pF @ 50 V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 192W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-220 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
구매 옵션
재고현황: 977
최저한의: 1
| 수량 | 단가 | 내선 가격 |
|---|---|---|
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운임 계산
FedEx에서 US $40.
3~5일 안에 도착
익스프레스:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$ 이상 주문 시 첫 0.5kg 무료 배송, 중량 초과는 별도로 청구됩니다.
인기 모델
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