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STMicroelectronics / SCT20N120H

SCT20N120H

제조업체 부품 번호: SCT20N120H
제조사: STMicroelectronics
설명의 일부: SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
무연 상태 / RoHS 상태: 무연 / RoHS 준수
재고 상태: 재고
에서 배송하다: Hong Kong
배송 방법: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
주목
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모든 Eelctronics 구성 요소는 ESD 정전기 방지 보호 기능으로 매우 안전하게 포장됩니다.

package

사양
유형 설명
시리즈-
꾸러미Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
부품 상태Active
FET 유형N-Channel
과학 기술SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1200 V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A (Tc)
구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs290mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 1mA
게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs45 nC @ 20 V
Vgs (최대)+25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds650 pF @ 400 V
FET 기능-
전력 손실 (최대)175W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지H2Pak-2
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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재고현황: 36

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