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제조업체 부품 번호: | SPP20N60CFDXKSA1 |
제조사: | IR (Infineon Technologies) |
설명의 일부: | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 |
데이터시트: | SPP20N60CFDXKSA1 데이터시트 |
무연 상태 / RoHS 상태: | 무연 / RoHS 준수 |
재고 상태: | 재고 |
에서 배송하다: | Hong Kong |
배송 방법: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
유형 | 설명 |
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시리즈 | CoolMOS™ |
꾸러미 | Tube |
부품 상태 | Not For New Designs |
FET 유형 | N-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 650 V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20.7A (Tc) |
구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 13.1A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 1mA |
게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs | 124 nC @ 10 V |
Vgs (최대) | ±20V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 208W (Tc) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Through Hole |
공급 업체 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
재고현황: 당일 배송
최저한의: 1
수량 | 단가 | 내선 가격 |
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