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Rochester Electronics / IPS80R600P7AKMA1

IPS80R600P7AKMA1

제조업체 부품 번호: IPS80R600P7AKMA1
제조사: Rochester Electronics
설명의 일부: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3-342
데이터시트: IPS80R600P7AKMA1 데이터시트
무연 상태 / RoHS 상태: 무연 / RoHS 준수
재고 상태: 재고
에서 배송하다: Hong Kong
배송 방법: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
주목
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package

사양
유형 설명
시리즈CoolMOS™ P7
꾸러미Bulk
부품 상태Active
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)800 V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A (Tc)
구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 170µA
게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs20 nC @ 10 V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds570 pF @ 500 V
FET 기능-
전력 손실 (최대)60W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급 업체 장치 패키지PG-TO251-3-342
패키지 / 케이스TO-251-3 Stub Leads, IPak
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재고현황: 4480

최저한의: 1

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