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IR (Infineon Technologies) / IMBG120R045M1HXTMA1
이미지는 참고용이며 실제 사진을 얻으려면 문의하십시오.
IMBG120R045M1HXTMA1
| 제조업체 부품 번호: | IMBG120R045M1HXTMA1 |
| 제조사: | IR (Infineon Technologies) |
| 설명의 일부: | TRANS SJT N-CH 1.2KV 47A TO263 |
| 데이터시트: | IMBG120R045M1HXTMA1 데이터시트 |
| 무연 상태 / RoHS 상태: | 무연 / RoHS 준수 |
| 재고 상태: | 재고 |
| 에서 배송하다: | Hong Kong |
| 배송 방법: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 주목
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모든 Eelctronics 구성 요소는 ESD 정전기 방지 보호 기능으로 매우 안전하게 포장됩니다.
사양
| 유형 | 설명 |
|---|---|
| 시리즈 | CoolSiC™ |
| 꾸러미 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1.2 kV |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 47A (Tc) |
| 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 16A, 18V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5.7V @ 7.5mA |
| 게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs | 46 nC @ 18 V |
| Vgs (최대) | +18V, -15V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1.527 nF @ 800 V |
| FET 기능 | Standard |
| 전력 손실 (최대) | 227W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TO263-7-12 |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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| 수량 | 단가 | 내선 가격 |
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