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IR (Infineon Technologies) / IPD127N06LGBTMA1

IPD127N06LGBTMA1

제조업체 부품 번호: IPD127N06LGBTMA1
제조사: IR (Infineon Technologies)
설명의 일부: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
데이터시트: IPD127N06LGBTMA1 데이터시트
무연 상태 / RoHS 상태: 무연 / RoHS 준수
재고 상태: 재고
에서 배송하다: Hong Kong
배송 방법: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
주목
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package

사양
유형 설명
시리즈OptiMOS™
꾸러미Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
부품 상태Not For New Designs
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60 V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A (Tc)
구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs12.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 80µA
게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs69 nC @ 10 V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2300 pF @ 30 V
FET 기능-
전력 손실 (최대)136W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지PG-TO252-3
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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