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IR (Infineon Technologies) / IPI80N06S3L06XK
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IPI80N06S3L06XK
| 제조업체 부품 번호: | IPI80N06S3L06XK |
| 제조사: | IR (Infineon Technologies) |
| 설명의 일부: | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 |
| 데이터시트: | IPI80N06S3L06XK 데이터시트 |
| 무연 상태 / RoHS 상태: | 무연 / RoHS 준수 |
| 재고 상태: | 재고 |
| 에서 배송하다: | Hong Kong |
| 배송 방법: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 주목
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사양
| 유형 | 설명 |
|---|---|
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| 꾸러미 | Tube |
| 부품 상태 | Obsolete |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 55 V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80A (Tc) |
| 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 56A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 80µA |
| 게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs | 196 nC @ 10 V |
| Vgs (최대) | ±16V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9417 pF @ 25 V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 136W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TO262-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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| 수량 | 단가 | 내선 가격 |
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