Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPN22006NH,LQ
이미지는 참고용이며 실제 사진을 얻으려면 문의하십시오.
TPN22006NH,LQ
| 제조업체 부품 번호: | TPN22006NH,LQ |
| 제조사: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 설명의 일부: | MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON |
| 데이터시트: | TPN22006NH,LQ 데이터시트 |
| 무연 상태 / RoHS 상태: | 무연 / RoHS 준수 |
| 재고 상태: | 재고 |
| 에서 배송하다: | Hong Kong |
| 배송 방법: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 주목
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN22006NH,LQ은 chipnets.com에서 사용할 수 있습니다. 우리는 New&Original Part만 판매하고 1년 보증 시간을 제공합니다. 제품에 대해 더 알고 싶거나 더 나은 가격을 적용하려면 온라인 채팅을 클릭하거나 견적을 보내주십시오.
모든 Eelctronics 구성 요소는 ESD 정전기 방지 보호 기능으로 매우 안전하게 포장됩니다.
사양
| 유형 | 설명 |
|---|---|
| 시리즈 | U-MOSVIII-H |
| 꾸러미 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60 V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9A (Ta) |
| 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 100µA |
| 게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 710 pF @ 30 V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
재고현황: 993
최저한의: 1
| 수량 | 단가 | 내선 가격 |
|---|---|---|
가격을 알 수 없습니다. RFQ 부탁드립니다. |
||
운임 계산
FedEx에서 US $40.
3~5일 안에 도착
익스프레스:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$ 이상 주문 시 첫 0.5kg 무료 배송, 중량 초과는 별도로 청구됩니다.
인기 모델
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
장바구니에 추가되었습니다!
장바구니에 추가된 상품입니다.