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Vishay / Siliconix / SISH625DN-T1-GE3
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SISH625DN-T1-GE3
| 제조업체 부품 번호: | SISH625DN-T1-GE3 |
| 제조사: | Vishay / Siliconix |
| 설명의 일부: | MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK |
| 데이터시트: | SISH625DN-T1-GE3 데이터시트 |
| 무연 상태 / RoHS 상태: | 무연 / RoHS 준수 |
| 재고 상태: | 재고 |
| 에서 배송하다: | Hong Kong |
| 배송 방법: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 주목
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사양
| 유형 | 설명 |
|---|---|
| 시리즈 | TrenchFET® |
| 꾸러미 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | P-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30 V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 17.3A (Ta), 35A (Tc) |
| 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs | 126 nC @ 10 V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4427 pF @ 15 V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8SH |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® 1212-8SH |
구매 옵션
재고현황: 2493
최저한의: 1
| 수량 | 단가 | 내선 가격 |
|---|---|---|
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운임 계산
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3~5일 안에 도착
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