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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FQI7N10TU

FQI7N10TU

제조업체 부품 번호: FQI7N10TU
제조사: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
설명의 일부: MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
데이터시트: FQI7N10TU 데이터시트
무연 상태 / RoHS 상태: 무연 / RoHS 준수
재고 상태: 재고
에서 배송하다: Hong Kong
배송 방법: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
주목
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모든 Eelctronics 구성 요소는 ESD 정전기 방지 보호 기능으로 매우 안전하게 포장됩니다.

package

사양
유형 설명
시리즈QFET®
꾸러미Tube
부품 상태Obsolete
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100 V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.3A (Tc)
구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs350mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs7.5 nC @ 10 V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds250 pF @ 25 V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.75W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급 업체 장치 패키지I2PAK (TO-262)
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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