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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ

제조업체 부품 번호: TK31V60W,LVQ
제조사: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
설명의 일부: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
데이터시트: TK31V60W,LVQ 데이터시트
무연 상태 / RoHS 상태: 무연 / RoHS 준수
재고 상태: 재고
에서 배송하다: Hong Kong
배송 방법: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
주목
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package

사양
유형 설명
시리즈DTMOSIV
꾸러미Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
부품 상태Active
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600 V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)30.8A (Ta)
구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs98mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.7V @ 1.5mA
게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs86 nC @ 10 V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3000 pF @ 300 V
FET 기능Super Junction
전력 손실 (최대)240W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급 업체 장치 패키지4-DFN-EP (8x8)
패키지 / 케이스4-VSFN Exposed Pad
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